| 发明名称 | 具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明关于具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构，本发明的半导体结构包括：数个邻近通信信号输入端，设置于该半导体结构的一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该表面，用以与外部组件电性连接，该第二电极与该第一电极间隔一距离，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。本发明的半导体结构及半导体封装结构具有邻近通信的效果，且不会有已知技术必须精准地对位的问题。并且本发明的半导体结构及半导体封装结构的邻近通信的电容值为固定。 | ||
| 申请公布号 | CN102148222B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201010613151.6 | 申请日期 | 2010.12.18 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 赖逸少;蔡宗岳;陈明坤;王太平;郑明祥 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种具邻近通信信号输入端的半导体结构，包括：数个邻近通信信号输入端，设置于该半导体结构的一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该表面，用以与外部组件电性连接，该第二电极与该第一电极间隔一距离，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||