| 发明名称 | 通孔形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通孔形成方法，在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整，可以调节刻蚀过程中聚合物的产生量，扩大通孔底部的线宽，获得较为垂直的形貌，增大工艺窗口，避免刻蚀停止现象，保持电性能的稳定。在此过程中，将电极温度作为新的工艺参数，仅需对工艺菜单作局部调整，没有增加新的工艺流程，不会对产能和生产成本造成明显影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102592986A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210063066.6 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 王伟军 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种通孔形成方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成膜层结构；对所述膜层结构进行光刻、刻蚀工艺，以形成具有通孔的图形化结构；其中，在所述刻蚀工艺过程中动态调整刻蚀设备的上和/或下电极温度。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||