填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用

摘要

本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。

主权项

一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料硅块，其特征在于：该原料硅块的纯度在99.99％‑99.9999999％；且该原料硅块的抗压参数为0.1‑50Mpa；该填装性能良好的原料硅块由硅粉经过等静压方法处理而得；等静工作压力参数为100‑800MPa；该填装性能良好的原料硅块采用下列等静压方法而得，步骤如下：(1)取软质包装材料做成容器；(2)将硅粉或硅小块放入软质包装材料的容器中；加盖密封；(3)将上一步骤中密封好的装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器置于液体介质中；(4)压力机对放置了装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器的液体介质加压，加压范围为10‑800MPa；加压时间为5‑60分钟，保持温度在25‑1400℃；(5)停止加压，取出容器中的物料即得到填装性能良好的原料硅块。