发明名称 |
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极,这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通,与其呈欧姆接触;然后通过二次紫外光刻,在该对金属薄膜电极中插入铟锡氧化物(ITO)透明薄膜电极,所述ITO薄膜电极与所述CuS准一维纳米结交叉呈肖特基接触,形成CuS/ITO肖特基结纳米太阳能电池。本发明制备方法简单易行,稳定可靠,可以应用到多种准一维纳米尺寸的肖特基结纳米太阳能电池的制备。 |
申请公布号 |
CN102583223A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210053645.2 |
申请日期 |
2012.03.02 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
吴春艳;张梓晗;吕鹏;吴义良;王文坚;于永强;王莉;罗林保;揭建胜 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法,其特征在于:将CuS准一维纳米结构(3)分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上,通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一金属薄膜电极对(4),所述金属薄膜电极(4)通过所述CuS准一维纳米结构(3)连通并且所述金属薄膜电极对(4)与CuS准一维纳米结构(3)呈欧姆接触;然后通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一ITO透明薄膜电极(5),所述ITO透明薄膜电极(5)位于所述金属薄膜电极对(4)之间并且与所述CuS准一维纳米结构(3)交叉呈肖特基接触,得到基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池即CuS/ITO肖特基结准一维纳米结构的纳米太阳能电池;所述绝缘层(2)为SiO2。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市屯溪路193号 |