一种栅控二极管半导体器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体器件的制造方法特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。

主权项

一种栅控二极管半导体器件的制造方法，其特征在于具体步骤包括：在p型衬底之上形成第一种绝缘薄膜；刻蚀所述第一种绝缘薄膜形成有源区窗口；在所述第一种绝缘薄膜及有源区窗口之上淀积n型材料，作为有源区，在所述有源区窗口处与p型衬底接触；覆盖所述n型有源区形成第二种绝缘薄膜；刻蚀所述第二种、第一种绝缘薄膜，在所述有源区窗口的两侧分别形成漏极接触窗口和源极接触窗口，漏极接触孔处p型衬底被暴露，源极接触孔处n型有源区被暴露；淀积形成第一种导电薄膜并刻蚀所述第一种导电薄膜形成漏极电极、栅极电极、源极电极，漏极电极位于漏极接触孔之上并充满所述漏极接触孔，源极电极位于源极接触孔之上并充满所述源极接触孔，并且，栅极电极处于源极电极和所述有源区窗口之间，有源区窗口处于漏极电极和栅极极电极之间，栅极电极和有源区窗口间距为20纳米至1微米。