发明名称 |
高频倍压整流模块 |
摘要 |
本发明涉及一种高频倍压整流模块,包括电容、硅堆,其特征在于,在竖直方向上,所述的电容、硅堆设计成分层结构,硅堆设置于上层和下层,电容设置于中间层;在水平方向上,由线路板将上层硅堆、中间层电容、下层硅堆划分为多级,每级结构由两侧线路板所划分的空间内的上层硅堆、中间层电容、下层硅堆构成,每级中的硅堆、电容通过两侧的线路板安装,除端部的线路板外,中间的线路板为双面连接结构;硅堆和电容采用环氧树脂浇注成型。与现有技术相比,本发明的有益效果是:散热效果好,将发热量大的硅堆放在外层,温升小于20℃,可连续工作;耐压效果好,分层立体结构有效增加了耐压距离,降低了损耗。 |
申请公布号 |
CN102593112A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210067991.6 |
申请日期 |
2012.03.15 |
申请人 |
鞍山雷盛电子有限公司 |
发明人 |
张裕;陈岗;董春红 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 |
代理人 |
张群 |
主权项 |
高频倍压整流模块,包括电容、硅堆,其特征在于,在竖直方向上,所述的电容、硅堆设计成分层结构,硅堆设置于上层和下层,电容设置于中间层;在水平方向上,由线路板将上层硅堆、中间层电容、下层硅堆划分为多级,每级结构由两侧线路板所划分的空间内的上层硅堆、中间层电容、下层硅堆构成,每级中的硅堆、电容通过两侧的线路板安装,除端部的线路板外,中间的线路板为双面连接结构;硅堆和电容采用环氧树脂浇注成型。 |
地址 |
114051 辽宁省鞍山市高新区千山中路366号 |