| 发明名称 | 半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法。半导体芯片包括基材及阶梯状导电柱。阶梯状导电柱形成于基材且包括第一导电柱及第二导电柱。第二导电柱形成于第一导电柱上，第二导电柱的剖面积小于第一导电柱的剖面积。第一导电柱及第二导电柱中至少一者各包括第一部分及第二部分，第二部分连接于第一部分且与第一部分之间形成一凹部。 | ||
| 申请公布号 | CN102593088A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210069995.8 | 申请日期 | 2012.03.16 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建泛;林宏哲;罗健文;刘琪婷 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括：一基材；以及一阶梯状导电柱，形成于该基材且包括：一第一导电柱；及一第二导电柱，形成于该第一导电柱上，该第二导电柱的剖面积小于该第一导电柱的剖面积；其中，该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括一第一部分及一第二部分，该第二部分连接于该第一部分且与该第一部分之间形成一凹部。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||