一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法

摘要

本发明提供一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法，结合FIB设备特有的纳米加工性能以及半导体公司规模化加工能力的快速表征材料纳米存储性能，本发明将有助于快速表征材料于50nm以下时的信息存储性能，同时可以加快材料的开发速度。本发明制备的相变存储器上可形成横向电极结构，在该横向电极结构的基础之上，根据需要利用聚焦离子束系统可以对横向电极结构进行二次加工，最终可得到更小的电极结构，对材料纳米尺度存储性能的研究提供了更大的便利。

主权项

一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述相变存储器的制备方法至少包括以下步骤：1)提供一硅片衬底，并将所述硅片衬底做清洗处理；2)利用热氧化工艺在所述硅片衬底表面制备一层厚度为500～800nm的介质为SiO2的绝缘层；3)利用光刻及刻蚀工艺于所述绝缘层上形成深度为150～200nm的电极结构图形及标记图形；4)利用磁控溅射工艺与所述电极结构图形上制备一层厚度为200～250nm的钨电极层；5)利用化学机械抛光工艺将所述钨电极层进行抛光以制备出顺应电极结构图形的由8×8个独立电极以及4个公共电极组成的横向电极阵列，将各该独立电极的线宽控制为150～300nm，将相邻的两个独立电极的间距控制为小于150nm；6)于所述硅片衬底上横向电极阵列之外的区域制备多个材料厚度为200nm的对准标记；7)利用磁控溅射工艺并依据所述对准标记执行对准程序，在相对应的两个独立电极之间的预接合处沉积厚度为100nm的相变材料；8)利用超高真空电子束蒸发以及光刻剥离工艺在所述硅片衬底上制备绝热保护层。