发明名称 |
一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法,所述ITO蚀刻液包括以下重量百分比的组合物:草酸3.2%~3.6%;正己酸0.1%~0.2%;水6.2%~96.6%。本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法,通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸,能有效降低ITO蚀刻液的表面张力,使其能够产生渗透,浸润的作用,提高草酸的蚀刻效果,使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果,并使产品能在较低的环境温度下保存,避免了原有技术造成的蚀刻不干净,不能在低温下储存的缺点,本方法能适用于大规模生产。 |
申请公布号 |
CN102585832A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201110461719.1 |
申请日期 |
2011.12.30 |
申请人 |
江阴江化微电子材料股份有限公司 |
发明人 |
殷福华;季文庆;朱龙;邵勇;栾成 |
分类号 |
C09K13/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09K13/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种低张力ITO蚀刻液,其特征在于,包括以下重量百分比的组合物:草酸 3.2%~3.6%;正己酸 0.1%~0.2%;水 96.2%~96.6%。 |
地址 |
214423 江苏省无锡市江阴市周庄镇山泉村山泉新村 |