发明名称 | 低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明的课题是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备,通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度,还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法,在低温条件下,实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原,低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构,从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好,可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。 | ||
申请公布号 | CN102583340A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN201210019931.7 | 申请日期 | 2012.01.20 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 万冬云;黄富强;杨重寅;林天全 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲 |
主权项 | 一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备,通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度,还原出高导电石墨烯。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |