| 发明名称 | 分立栅快闪存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种分立栅快闪存储器制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域以及位于第一区域之间的第二区域，所述衬底表面形成含有开口的刻蚀阻挡层，所述开口暴露衬底；以所述刻蚀阻挡层为掩膜沿所述开口刻蚀所述衬底，在第一区域衬底内形成凹槽；在所述凹槽表面形成隧穿层，形成填满所述凹槽且厚度大于所述凹槽深度的浮栅；形成覆盖所述浮栅和衬底的阻挡层；形成覆盖阻挡层的字线。相应地，本发明还提供根据上述方法得到的分立栅快闪存储器。利用本发明提供的分立栅快闪存储器及其制造方法可以克服短沟道效应，并且有利于实现器件的小型化。 | ||
| 申请公布号 | CN102593061A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201110002794.1 | 申请日期 | 2011.01.07 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹子贵 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种分立栅快闪存储器制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域以及位于第一区域之间的第二区域，所述衬底表面形成含有开口的刻蚀阻挡层，所述开口暴露衬底；以所述刻蚀阻挡层为掩膜沿所述开口刻蚀所述衬底，在第一区域衬底内形成凹槽；在所述凹槽表面形成隧穿层，形成填满所述凹槽且厚度大于所述凹槽深度的浮栅；形成覆盖所述浮栅和衬底的阻挡层；形成覆盖所述阻挡层的字线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||