一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法

摘要

本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流进行准确分析。

主权项

一种新型的MOSFET NQS模型，其特征在于基于电荷的弛豫时间近似，包括了所有MOSFET本征电荷Qd，Qg，Qs和Qb的NQS模型。