发明名称 |
聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种聚苯乙烯基二氧化硅薄膜的制备方法,将聚苯乙烯薄片进行表面磺化改性;以氨水为催化剂,正硅酸乙酯作为硅源,将水、氨水与正硅酸乙酯按摩尔比n(H2O)∶n(NH3)∶n(TEOS)=1∶0.008∶0.012混合搅拌,制备溶胶溶液;将两个电极极板放入到溶胶溶液中,同时将聚苯乙烯基体偏向阳极板处放置,并在极板两端施加电场,电压2.8V-4.0V,施加电场4小时-7小时,得到聚苯乙烯基二氧化硅沉积膜,干燥后得到聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜。薄膜厚度均匀,表面光滑无裂纹,形成呈蠕虫状介孔孔道,具有一定的有序性,本发明的制备方法成本低,且该制备方法操作简便、易于控制、所需设备简单,能够大规模生产。 |
申请公布号 |
CN102050955B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200910236401.6 |
申请日期 |
2009.10.28 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
魏刚;王晓娜;李华芳;白阿香;陈晓晓 |
分类号 |
C08J7/06(2006.01)I;C25D13/02(2006.01)I |
主分类号 |
C08J7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
何清清 |
主权项 |
一种聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜的制备方法,其特征在于,将聚苯乙烯薄片在室温下用硫酸浸泡进行表面磺化改性,将改性后的聚苯乙烯薄片用去离子水冲洗,烘干得到聚苯乙烯基体;以氨水为催化剂,正硅酸乙酯作为硅源,将水、氨水与正硅酸乙酯按摩尔比n(H2O)∶n(NH3)∶n(TEOS)=1∶0.008∶0.012混合搅拌,直至体系变成半澄清溶液,将溶液过滤,澄清滤液在室温下陈化得到溶胶溶液;将两个电极极板放入到溶胶溶液中,中间留有20mm‑30mm间隔,同时将聚苯乙烯基体偏向阳极板1mm‑2mm处放置,并在极板两端施加电场,电压2.8V‑4.0V,在电场的作用下,二氧化硅溶胶颗粒沉积到聚苯乙烯基体上,施加电场4小时‑7小时后,得到聚苯乙烯基二氧化硅沉积膜,将薄膜于室温下干燥,得到聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |