发明名称 |
一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法,所述晶圆级MEMS器件的真空封装结构,包括第一晶圆,所述第一晶圆的正面上设有ASIC电路,所述第一晶圆背面的下方设有第二晶圆;第一晶圆的背面设有凹槽,所述凹槽的槽口对应第二晶圆;所述凹槽内设有吸气剂激活结构,所述吸气剂激活结构覆盖凹槽并覆盖在第一晶圆的背面;凹槽的槽底设有吸气剂;第二晶圆上设有MEMS结构,所述MEMS结构位于吸气剂的正下方;所述第一晶圆与第二晶圆采用真空键合连接成一体,并在第一晶圆与第二晶圆间形成真空腔体,MEMS结构位于真空腔体内,且MEMS结构与ASIC电路电连接。本发明结构紧凑,提高了集成度,降低了生产成本,提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN102583219A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210088182.3 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
张昕;欧文;明安杰;谭振新;赵敏;罗九斌;顾强 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
殷红梅 |
主权项 |
一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构,其特征是:包括第一晶圆(1),所述第一晶圆(1)的正面上设有ASIC电路(2),所述第一晶圆(1)背面的下方设有第二晶圆(10);第一晶圆(1)的背面设有凹槽(17),所述凹槽(17)的槽口对应第二晶圆(10);所述凹槽(17)内设有吸气剂激活结构(13),所述吸气剂激活结构(13)覆盖凹槽(17)并覆盖在第一晶圆(1)的背面;凹槽(17)的槽底设有吸气剂(7);第二晶圆(10)上设有MEMS结构(9),所述MEMS结构(9)位于吸气剂(7)的正下方;所述第一晶圆(1)与第二晶圆(10)采用真空键合连接成一体,并在第一晶圆(1)与第二晶圆(10)间形成真空腔体(20),MEMS结构(9)位于真空腔体(20)内,且MEMS结构(9)与ASIC电路(2)电连接。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 |