Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

主权项

一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1).衬底的清洗：选择表面可以导电的Pt/Ti/SiO2/Si衬底，用常规的方法清洗，去除衬底表面的杂质和污物，然后烘干备用；2).薄膜的生长：采用专利ZL：200610030144.7中所述的湿化学法制备Mn‑Co‑Ni‑O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料；先是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)上生长导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)，在导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)上继续生长导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)，从而制备出导电类型为p型和n型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜叠加结构，形成pn结；3).电极的制备：采用刻蚀工艺去除一部分导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)和导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)，露出衬底上的部分导电层作为底电极(5)；在导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)的部分膜面上用掩模板保护，制备上一块导电层作为顶电极(4)。