发明名称 |
一种阻变存储器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法,其包括如下步骤:在衬底上制备底电极;然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化,形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物,作为阻变材料层;最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发明避免了传统方法中淀积阻变材料层的步骤,大幅降低了工艺复杂度。同时可以实现阻变材料层与底电极的自对准。保证器件之间的完全隔离。避免了传统工艺方法产生的众多寄生效应。同时保证了器件的实际面积与设计面积一致。 |
申请公布号 |
CN102593352A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210041447.4 |
申请日期 |
2012.02.21 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黄如;谭胜虎;张丽杰;潘岳;黄英龙;杨庚宇;唐昱;毛俊;蔡一茂 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
一种阻变存储器的制备方法,其包括如下步骤:1)在衬底上制备底电极。2)采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化,形成厚度为3nm‑50nm的金属氧化物,所述金属氧化物层作为阻变材料层;3)在上述阻变材料层上制备顶电极。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |