一种GHz频段RFID用铁电薄膜天线及其制备方法

摘要

本发明提供的GHz频段RFID用铁电薄膜天线中的薄膜单元采用R切蓝宝石单晶基片，KNbO3缓冲层及KTaNbO3薄膜三层结构。这种结构可调谐性能强，微波损耗很小，成本低。本发明还采用丝网印刷的制备方法，其相对射频磁控溅射法、脉冲激光沉积法、旋涂法成本更低。

主权项

一种GHz频段RFID用铁电薄膜天线，该薄膜天线的薄膜单元具有三层结构，其中，底层为0.3‑0.6mm厚的R切蓝宝石单晶基片，缓冲层为10‑20nm厚的KNbO3，缓冲层之上是400‑500nm厚的KTaNbO3薄膜。