| 发明名称 | 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，制得氢化氮氧化硅层。本发明具有气源利用率高，生长速率快，界面缺陷态少等特点，制备的薄膜的钝化效果优于等离子辅助化学气相沉积法制备的薄膜，有利于异质结电池效率的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102593253A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210042843.9 | 申请日期 | 2012.02.23 |
| 申请人 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 发明人 | 黄海宾;李媛媛;彭铮;周浪;魏秀琴;周潘兵 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达;谢文凯 |
| 主权项 | 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮氧化硅层。 | ||
| 地址 | 201108 上海市闵行区金都路4299号208室 | ||