| 发明名称 | 制造具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构和方法 | ||
| 摘要 | 这里的实施例给出一种制作具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构、方法等。MOSFET电路包括接触线(500、1300)、邻近接触线(500、1300)的栅极(310、1210)。接触线(500、1300)包括小于栅极(310、1210)高度的高度。MOSFET电路还包括邻近栅极(310、1210)的栅隔离物(710、715、1610、1615)并且没有位于接触线(500、1300)和栅极(310、1210)之间的邻近接触线(500、1300)的接触线隔离物。 | ||
| 申请公布号 | CN101361186B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200780001682.6 | 申请日期 | 2007.01.09 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种MOSFET电路，包括：接触线(500、1300)；栅极(310、1210)，位于源极和漏极之间，且邻近所述接触线(500、1300)；第一金属通路，位于所述接触线之上和所述源极的部分之上；以及栅绝缘层，位于该栅极与衬底之间以及该接触线与衬底之间，其中所述接触线(500、1300)包括小于所述栅极(310、1210)高度的高度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||