发明名称 显示装置
摘要 本发明提供一种显示装置,目的在于减低因背光源或外光而造成像素的TFT的泄漏电流,且提高液晶显示装置的显示画质。其技术方案是在第1衬底(100)上具备多个像素,而各像素具备:经由栅极绝缘膜(11)而与半导体层(10)交叉的栅极线(20);经由第1接触孔(C1)连接在漏极区域(10d),用于覆盖从交叉部延伸的半导体层(10)的上方的漏极线(17);以及经由第2接触孔(C2)而连接在源极区域(10s),用于覆盖从交叉部延伸的半导体层(10)的上方而形成的源极电极(18)。而且,具备经由缓冲膜(13)形成在半导体层(10)的下方,用于遮住入射至半导体层(10)的光的遮光层(12)。
申请公布号 CN101452174B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200810185171.0 申请日期 2007.01.10
申请人 索尼公司 发明人 濑川泰生;小野木智英
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 马高平
主权项 一种显示装置,其特征在于:在第1衬底上具备像素,而上述像素具备:半导体层,弯曲成U字形:栅极线,经由栅极绝缘膜而与上述半导体层在第1及第2交叉部交叉;漏极线,经由第1接触孔连接在上述半导体层的漏极区域,而覆盖从上述第1交叉部延伸的半导体层的上方而形成;源极电极,经由第2接触孔而连接在上述半导体层的源极区域,而覆盖从上述第2交叉部延伸的半导体层的上方而形成;遮光层,经由缓冲膜形成在上述第1及第2交叉部的半导体层的下方,而遮住入射至上述半导体层的光;电容线,经由上述栅极绝缘膜而形成在上述半导体层上;及像素电极,连接在上述源极电极,其中,上述源极区域及漏极区域分别由低浓度区域及高浓度区域所构成,而上述遮光层覆盖上述低浓度区域的全体,进而从上述低浓度区域的端缘覆盖上述高浓度区域2μm以上而形成。
地址 日本东京都