半导体激光器及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体激光器及半导体激光器的制造方法，该半导体激光器具有：下部包层(12)，其具有第一导电型；活性层(14)，其设置在该下部包层(12)上，具有多个量子点；以及上部包层(18)，其是设置在活性层(14)上的孤立的脊部(30)，并具有第二导电型，在设脊部(30)的上表面的宽度为Wtop，设离所述脊部(30)的下表面的高度为50nm处的所述脊部(30)的宽度为W1时，W1≤Wtop+0.4μm。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器具有：下部包层，其具有第一导电型；活性层，其设置在该下部包层上，具有多个量子点；上部包层，其是设置在该活性层上的孤立的脊部，并具有与所述第一导电型相反的导电型即第二导电型，在设所述脊部的上表面的宽度为Wtop，设离所述脊部的下表面的高度为20nm处的所述脊部的宽度为W1时，W1≤Wtop+0.4μm；以及电极，其设置在该上部包层上，所述上部包层具有作为所述上部包层中的最下层的第一层和设置在该第一层上的第二层，所述第一层具有所述脊部的最小宽度，所述第二层具有经各向异性蚀刻的侧面。