发明名称 Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Muster ausgebildet werden
摘要 Bereitgestellt wird ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten einer Lösung, in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert sind; Bilden von Muster auf einem Substrat; Einrichten einer vorläufigen Struktur in einem oberen Abschnitt des Substrates derart, dass ein Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird; Injizieren der Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, in den Mikro-Kanal und Fixieren der Oxidkügelchen an dem Substrat; und thermisches Bearbeiten des Substrates. Eine Mehrzahl von kostengünstigen Oxidkügelchen kann als Muster mit einer gewünschten Form auf ein Substrat aufgebracht werden, so dass beim Trockenätzen in dem Substrat auftretende Schäden verhindert werden können und ein Ätzprozess nicht durchgeführt werden muss, so dass eine Ausbeute einer Vorrichtung nicht verringert ist und die Massenproduktion der Vorrichtung zunimmt. Zusätzlich wird ein teures Gerät zum Trockenätzen nicht benötigt, so dass das Verfahren zum Herstellen des Substrates ökonomisch ist und eine hohe Produktivität erzielt wird, bei der große Mengen an Substraten innerhalb einer kurzen Zeit hergestellt werden.
申请公布号 DE112009004715(T5) 申请公布日期 2012.07.12
申请号 DE20091104715T 申请日期 2009.04.29
申请人 SNU R&DB FOUNDATION 发明人 YOON, EUIJOON;KWON, SUNG-HOON
分类号 H01L33/20;H01L33/22 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
地址