发明名称 Magnetische Speichervorrichtung
摘要 Magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung (100, 200, 300) mit folgenden Merkmalen: einer magnetischen Speicherzelle (102, 202, 302), die unter dem Einfluss eines Magnetfeldes zwischen zwei Zuständen umschaltbar ist; einer elektrischen Bitleitung (104, 212, 312), die mit der magnetischen Speicherzelle (102, 202, 302) gekoppelt ist, zum Erzeugen des Magnetfeldes, wobei die elektrische Bitleitung (104, 212, 312) eine leitfähige Komponente (110, 214, 314) und eine magnetische Komponente (112, 216, 316) aufweist, um einen Magnetfluss, der dem Magnetfeld zugeordnet ist, in Richtung der magnetischen Speicherzelle (102, 202, 302) zu führen; und einem thermischen Isolator (114, 218, 318), der zwischen der leitfähigen Komponente (110, 214, 314) und der magnetischen Speicherzelle (102, 202, 302) positioniert ist, wobei die magnetische Komponente (112, 216, 316) zumindest einen Führungsabschnitt aufweist, der sich von der leitfähigen Komponente (110, 214, 314) in Richtung der magnetischen Speicherzelle (102, 202, 302) erstreckt, um den Magnetfluss um zumindest einen Abschnitt des thermischen...
申请公布号 DE102004059409(B4) 申请公布日期 2012.07.12
申请号 DE200410059409 申请日期 2004.12.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 ANTHONY, THOMAS C.;PERNER, FREDERICK A.;LEE, HEON
分类号 G11C11/15;G11C11/02;G11C11/14;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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