Halbleitervorrichtung mit monolithischem Halbleiterschalter und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Halbleitervorrichtung (100, 500), umfassend: einen Halbleitergrundkörper (101, 501) mit einer ersten (102, 502) und einer zweiten (103, 503) Seite, die sich gegenüberliegen, wobei der Halbleitergrundkörper (101) einen ersten (110, 510) und einen zweiten (120, 520) FET aufweist; wobei ein erstes Source/Drain (111, 565) des ersten FET (110, 510) und ein erstes Source/Drain (121, 540) des zweiten FET (120, 520) elektrisch mit wenigstens einer Kontaktfläche (130) an der ersten Seite (102, 502) des einen Halbleitergrundkörpers (101, 501) verbunden sind; wobei ein zweites Source/Drain (112, 566) des ersten FET (110, 510), ein Gate (113, 548a) des ersten FET (110, 510), ein zweites Source/Drain (122, 567) des zweiten FET (120, 520) und ein Gate (123, 548b) des zweiten FET (120, 520) elektrisch mit Kontaktflächen (135, 136, 137, 138, 535,537) an der zweiten Seite (103, 503) des Halbleitergrundkörpers (101, 501) verbunden sind; wobei die Kontaktflächen (135, 136, 137, 138,...