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lbleiterscheibe, bei dem die Halbleiterscheibe mittels eines drehbaren Polierkopfes mit der zu polierenden Seitenfläche gegen ein auf einem rotierenden Polierteller liegendes, fest gebundene Abrasive mit einer Partikelgröße von 0,1–0,25 μm enthaltendes Poliertuch gedrückt wird, wobei der Polierkopf mit einer elastischen Membran versehen, mittels Gas- oder Flüssigkeitskissen radial in mehrere Kammern unterteilt ist und der ausgeübte Polierdruck für jede Kammer unterschiedlich gewählt werden kann, wobei die Halbleiterscheibe währenddessen durch einen Führungsring, der ebenfalls mit einem Anpressdruck gegen das Poliertuch gedrückt wird, in Position gehalten wird, wobei eine Poliermittellösung, bei der es sich um eine wässrige Lösung der Verbindungen Natriumcarbonat (Na2CO3), Kaliumcarbonat (K2CO3), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH4OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) oder beliebigen Mischungen davon handelt, zwischen die Halbleiterscheibe und das Poliertuch gebracht wird, und der auf die Halbleiterscheibe ausgeübte Polierdruck in einer im Randbereich der Halbleiterscheibe liegenden Kammer des Polierkopfes höher ist als der... |
