薄膜电晶体阵列面板及其制造方法

摘要

本发明系提供一种制造一薄膜电晶体阵列面板的方法，其包含：将一闸极线形成于一基材上；将一第一绝缘层与一半导体层依序沈积于该闸极线上；将一导电性层沈积于该半导体层上；光蚀刻该导电性层与该半导体层；沈积一第二绝缘层；光蚀刻该第二绝缘层，以将该导电性层之第一与第二部曝露出来；将一像素电极形成于该导电性层之该第一部上；去除该导电性层之该第二部，以将该半导体层之一部分曝露出来；以及将一光阻挡构件形成于该半导体层之经曝露的部分上，该光阻挡构件具有一将该像素电极曝露出来之开口。