发明名称 热强化型单列直插式封装
摘要 本发明揭示一种用于制造热强化型半导体装置(200)之方法及系统,该热强化型半导体装置系封装成一贯穿孔单列直插式封装(SIP)。一引线框架(210)、一第一复数个传导引线(240)及一第二金属片部分均系由一金属片冲压而成,该引线框架具有一晶粒垫(220)用以附着一IC晶粒(230),该第一复数个传导引线系由一第一金属片部分所形成,该第二金属片部分系布置于与该第一复数个传导引线相对的该IC晶粒之一侧上。该第一复数个传导引线系以一单行配置并能够依据该SIP由贯穿孔加以固定。该第二金属片部分包括该晶粒垫以采用该金属片形式来形成一均温散热片(260)。该均温散热片为该IC晶粒所产生之热量提供散热。
申请公布号 TWI368309 申请公布日期 2012.07.11
申请号 TW097102750 申请日期 2008.01.23
申请人 德州仪器公司 美国 发明人 克里斯 艾德华 海格;安东尼 路易斯 柯里;威廉 大卫 波伊德
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 蔡瑞森 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国
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