| 摘要 |
一种半导体装置具有一多层互连结构，其中该多层互连结构包含有至少一第一互连层与一形成在该第一互连层上的第二互连层，该第一互连层包含有一嵌入一第一层间绝缘薄膜且构成一互连图案之一部分的第一导体图案以及另一嵌入该第一层间绝缘薄膜的第二互连图案，该第二互连层包含有一嵌入一第二层间绝缘薄膜且构成该互连图案的一部分之第三导体图案，该第三导体图案在其的一部分中具有一延伸部以便延伸在一同该第三导体图案一样之层中，该第三导体图案在该延伸部的一第一区域经由一第一介层栓被电性连接至该第一导体图案，该延伸部在一关于该第一区域更远离或更接近该第三导体图案的第二区域，经由一小于该第一介层栓之直径的第二介层栓，做出与该第二导体图案接触，该第三导体图案的延伸部、该第一介层栓及该第二介层栓，与该第二层间绝缘薄膜一起，形成一双金属镶嵌结构。 |
