| 发明名称 |
乾式蚀刻制程 |
| 摘要 |
一种乾式蚀刻制程，适用于蚀刻一膜层，使膜层于蚀刻后在不同的区域形成不同的图案密度，膜层上已形成有一层图案化的罩幕层。在对此膜层进行蚀刻步骤之前，先进行充电步骤，使带正电之多个离子附着于膜层裸露出之表面。 |
| 申请公布号 |
TWI368275 |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
| 申请号 |
TW096136907 |
申请日期 |
2007.10.02 |
| 申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
刘经楷 |
| 分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
