具有凹式闸极之半导体装置

摘要

一种具有一凹式闸极之半导体装置，包括：一半导体基板，具有一凹口；一用于一闸极电极之导电图案，填充于该凹口中及具有一突出高于该半导体基板之一表面的延伸部分；一磊晶半导体层，具有一上表面及系配置于该半导体基板上方；以及一闸极绝缘层，系配置于该磊晶半导体层与该导电图案之间及该半导体基板与该导电图案之间。再者，揭露一种制造该半导体装置之方法。