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发明名称
薄膜电晶体
摘要
本发明涉及一种薄膜电晶体,包括:一源极;一汲极,该汲极与该源极间隔设置;一半导体层,该半导体层与该源极和汲极电连接;以及一闸极,该闸极通过一绝缘层与该半导体层、源极及汲极绝缘设置;其中,该半导体层包括一奈米碳管薄膜,该奈米碳管薄膜包括各向同性或沿一固定方向取向或不同方向取向排列的多个奈米碳管。
申请公布号
TWI368328
申请公布日期
2012.07.11
申请号
TW097119109
申请日期
2008.05.23
申请人
鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号
发明人
刘长洪;姜开利;李群庆;范守善
分类号
H01L29/786
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
主权项
地址
新北市土城区自由街2号
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