发明名称 |
形成于通孔中之聚合物记忆体装置 |
摘要 |
本发明的一个局面系有关一种在通孔中制造聚合物记忆体装置之方法。该方法包含下列步骤:提供半导体基材,该半导体基材上具有至少一个含金属的层;在该含金属的层中形成至少一个铜接点;在该铜接点之上形成至少一个电介质层;在该电介质层中形成至少一个通孔,以便露出该铜接点的至少一部分;在该通孔的下方部分中形成聚合物材料;以及在该通孔的上方部分中形成上电极材料层。 |
申请公布号 |
TWI368296 |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
TW093115913 |
申请日期 |
2004.06.03 |
申请人 |
史班逊有限公司 美国 |
发明人 |
崔帕 尼可拉斯H;拜诺 马修S;潘 苏萨K;欧可洛 乌索丁玛;刘台凤;里昂 克里斯多夫F;沙巴洛 蓝库玛;洛帕 史哲D;郭明凡;哈苏拉 亚索M;张绍尊;琼 派克K;欧葛 珍V |
分类号 |
H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L21/8239 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |