具有增进的储存容量之ＳＯＩ元件以及其制造方法

摘要

本发明系揭示一种绝缘层覆矽(SOI)元件，包含一具有由一矽基板、一埋入氧化层、及一矽化层构成之堆叠结构之SOI基板。在该矽化层中界定浅沟，使埋入氧化层曝光。一阻障层系于各浅沟之侧壁下部形成。一磊矽层系形成以填布该浅沟，并且覆盖该阻障层。数个闸极系于该磊矽层上形成，接合区系于该闸极两边之矽化层形成。