发明名称 射频半集成应用装置
摘要 一种射频半集成应用装置,包括基板。该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层;且该基板分为相邻的数字区和射频区,所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区;所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区;相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。本发明提供的射频半集成应用装置在基板上分别设置了不同层次结构的射频区和数字区,改善了射频半集成应用装置的电磁兼容性能,并使该射频区的散热能力得到提升。
申请公布号 CN102571135A 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN201210034292.1 申请日期 2012.02.15
申请人 京信通信系统(中国)有限公司 发明人 张品春;罗漫江;姜斌
分类号 H04B1/40(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I 主分类号 H04B1/40(2006.01)I
代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 刘延喜
主权项 一种射频半集成应用装置,包括基板,其特征在于:该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层;且该基板分为相邻的数字区和射频区,所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区;所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区;相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。
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