光电器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜光电器件，包括：封闭在第一阻挡层结构(20)和第二阻挡层结构(40)之间的功能层结构(30)；所述器件具有导通的电互连导电结构(10)，所述电互连导电结构(10)嵌入在所述第一阻挡层结构(20)内，所述电互连导电结构(10)包括在所述阻挡层结构(20)内横向延伸的至少一个金属细长元件(12a、12b、12c)，所述电互连导电结构(10)设置为抵靠所述功能层结构(30)，所述电互连导电结构(10)具有嵌入所述第一阻挡层结构(20)内的、横向朝向的、被处理过的表面。

主权项

一种制造薄膜光电器件(1)的方法，包括步骤：提供(S1)第一金属基底(10)；对所述金属基底的第一主表面(11)进行图案化(S2)，从而在所述第一主表面(11)内产生凸起部分(12)和凹陷部分(13)；在所述金属基底(12)的第一主表面(11)处沉积(S3)第一阻挡层结构(20)；在与所述第一主表面(11)相对的第二主表面(15)处从所述金属基底去除(S4)材料，以显露与所述凹陷部分相对的第一阻挡层结构(20)；在所述第一阻挡层结构(20)的被从所述金属基底去除材料的一侧，施加(S5)功能层结构(30)；在所述功能结构的与所述第一阻挡层结构相对的一侧，施加(S6)第二阻挡层结构(40)。