| 发明名称 | 提高碳化硅材料载流子寿命的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高长成的碳化硅材料的载流子寿命的方法，包括如下步骤：步骤（a1）：在长成的碳化硅材料的表面上生长富含碳或硅间隙原子的碳化硅牺牲层；步骤（b1）：对步骤（a1）中所得到的结构进行高温退火。本发明还涉及一种制造载流子寿命提高的碳化硅晶体的方法，包括：步骤（a2）：生长碳化硅晶体；步骤（b2）：步骤（a2）中所得到的碳化硅晶体的表面上生长富含硅或碳间隙原子的碳化硅牺牲层；步骤（c2）：对步骤（b2）中所得到的结构进行高温退火。 | ||
| 申请公布号 | CN102560673A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110434584.X | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司 | 发明人 | 冯淦;李哲洋;赵健辉 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 李娜 |
| 主权项 | 一种提高长成的碳化硅材料的载流子寿命的方法，包括如下步骤：步骤（a1）：在长成的碳化硅材料的表面上生长富含碳或硅间隙原子的碳化硅牺牲层；以及步骤（b1）：对步骤（a1）中所得到的结构进行高温退火。 | ||
| 地址 | 361115 福建省厦门市翔安区翔星路88号强业楼801室 | ||