一种小尺寸阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种阻变存储器结构及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，衬底上设有下电极，下电极上设有阻变层，在阻变层上设置带有侧墙的隔离层和上电极。本发明通过减小阻变存储器上电极的面积，来有效地控制阻变存储器的阻变发生的区域，从而改善阻变存储器参数的波动性。

主权项

一种阻变存储器，包括衬底，其特征在于，在衬底上设有下电极，在下电极上设有阻变层，阻变层上设有带侧墙的隔离层，以及阻变层上有未被侧墙覆盖的露出区域，在露出阻变层的区域上设有上电极。