发明名称 | 圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构 | ||
摘要 | 本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构,应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于:在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置,将缓冲介质制作到硅基芯片里面,从而能起到缓冲应力的作用,而不增加封装结构厚度。 | ||
申请公布号 | CN102569232A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
申请号 | CN201210011301.5 | 申请日期 | 2012.01.13 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宁文果;罗乐;徐高卫 |
分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
主权项 | 一种圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构,包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |