发明名称 圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构
摘要 本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构,应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于:在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置,将缓冲介质制作到硅基芯片里面,从而能起到缓冲应力的作用,而不增加封装结构厚度。
申请公布号 CN102569232A 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN201210011301.5 申请日期 2012.01.13
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 宁文果;罗乐;徐高卫
分类号 H01L23/485(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构,包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号