| 发明名称 | 一种氧化镝加强的氮化硅制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化钬氧化镝作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化钬3％～7％，氧化镝5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化钬氧化镝作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102557651A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010601367.0 | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 苏州中锆新材料科技有限公司 | 发明人 | 陈海* |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种氧化镝加强的氮化硅制备工艺所涉及的氧化钬氧化镝作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化钬3％～7％，氧化镝5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化钬粒度3～6微米，氧化镝粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。 | ||
| 地址 | 215301 江苏省昆山市昆嘉路南章基路东科技创业基地1号厂房102 | ||