发明名称 |
一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法,其中,包括如下具体步骤:步骤a、通过N阱区的光罩对于PMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入;步骤b、通过P阱区的光罩对于NMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入;步骤c、使用一张光罩同时在所述NMOS的高阈值电压区域和所述PMOS的低阈值电压区域同时掺杂;步骤d、使用一张光罩同时在所述PMOS的高阈值电压区域和所述NMOS的低阈值电压区域进行掺杂。本发明的有益效果是:在工艺上满足了多阈值电压共存的需求,同时又对工艺流程进行了简化,达到了减少光罩层数的目的,使产品成本降低。 |
申请公布号 |
CN102569196A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201110384038.X |
申请日期 |
2011.11.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
魏峥颖 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤a、通过N阱区的光罩对于PMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入;步骤b、通过P阱区的光罩对于NMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入;步骤c、使用一张光罩同时在所述NMOS的高阈值电压区域和所述PMOS的低阈值电压区域同时掺杂;步骤d、使用一张光罩同时在所述PMOS的高阈值电压区域和所述NMOS的低阈值电压区域进行掺杂。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |