| 发明名称 | 像素阵列基底结构、其制造方法、显示设备和电子装置 | ||
| 摘要 | 一种像素阵列基底结构，包括：顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN102569308A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110428133.5 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 永泽耕一;玉置昌哉;林宗治;加边正章;福永容子 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 周少杰 |
| 主权项 | 一种像素阵列基底结构，包括：顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||