一种通过沉积氧化钼制备电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管的方法

摘要

本发明涉及一种通过沉积氧化钼制备电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管的方法，首先合成未掺杂锗纳米线(1)，然后把未掺杂锗纳米线(1)分散在p+型硅衬底(2)上的二氧化硅层(3)的表面，利用光刻、电子束镀膜、去胶等手段在二氧化硅表面做好源漏金属电极(4)，使得有未掺杂锗纳米线(1)的两端分别被源漏金属电极(4)覆盖，且源漏金属电极(4)与未掺杂锗纳米线(1)为欧姆接触，最后直接在未掺杂锗纳米线场效应管表面沉积厚度为5～200nm的氧化钼层(5)得到电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管。本发明工艺简单、适合大规模生产，可以获得电学特性稳定的p型沟道锗纳米线场效应管。

主权项

一种通过沉积氧化钼制备电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管的方法，其特征是按如下步骤操作：a、用化学气相沉积的方法合成长度大于10μm的未掺杂锗纳米线(1)；b、在p+型硅衬底(2)的上表面有一厚度为50‑600nm的二氧化硅层(3)，将未掺杂锗纳米线(1)分散在二氧化硅层(3)的表面得到样品A；c、依次通过光刻、电子束镀膜和去胶在所述样品A的表面形成源漏金属电极(4)，使得未掺杂锗纳米线(1)的两端分别被源漏金属电极(4)覆盖，得到样品B；d、直接在所述样品B上、位于所述源漏金属电极(4)所在一侧的表面沉积一层厚度为5‑200nm的氧化钼层(5)，以所述氧化钼层(5)覆盖在未掺杂锗纳米线(1)上，得到电学特性稳定的p型锗纳米线场效应管，其中p+型硅衬底(2)作为场效应管的栅电极。