| 发明名称 | 碳化硅上的石墨烯缓冲层的活化 | ||
| 摘要 | 一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化最底层的石墨烯层。 | ||
| 申请公布号 | CN102576724A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080042505.4 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | F.R.麦克菲力;J.J.尤卡斯;种田智;J.B.汉农 |
| 分类号 | H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，所述方法包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成在所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化所述最底层的石墨烯层。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||