发明名称 |
锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用(Sb3/4Li1/4)对PZT进行B位复合取代改性,制备高性能压电陶瓷的方法,步骤为:按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料,其中x=1~3mol%;经过800℃~900℃合成、成型、排塑、于1200℃烧结,再经烧银,并于120℃硅油浴中,加以3kV/mm的直流电压极化15min。本发明通过调整(Sb3/4Li1/4)的取代量,显著提高了压电性能。当复合取代量x=2mol%,合成温度为850℃时,获得了最佳综合压电性能,压电陶瓷的介电常数εT33/ε0,压电系数d33,机电耦合系数kp值和损耗值分别达到了,2052,500pC/N,81%,1.5%。本发明可应用于制备超声波传感器,压电陶瓷驱动器等电子器件。 |
申请公布号 |
CN102557633A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210010799.3 |
申请日期 |
2012.01.14 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
马卫兵;李建平;孙清池;刘志华;吴涛 |
分类号 |
C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/49(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
曹玉平 |
主权项 |
一种高性能的锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷,其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1‑xO3,其中x=1~3mol%。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |