| 发明名称 | 晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置 | ||
| 摘要 | 晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管，在喷淋管后面设置挂水飘带和匀水滚轮，挂水飘带和匀水滚轮相对硅片高度和位置可调。既能保证硅片表面的水膜覆盖完整，也不会引起水膜过多过厚，可大大改善晶体硅太阳能电池片的刻蚀质量和电性能，结构简单，制造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN202332919U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120432054.7 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 | 发明人 | 程曦;马煜隆;段甜健;李理;夏伟;包崇彬;李质磊;盛雯婷;张凤鸣 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人 | 李高峡 |
| 主权项 | 晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于：在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管(2)，在喷淋管(2)后面设置挂水飘带(3)，挂水飘带(3)相对硅片(1)高度和位置可调。 | ||
| 地址 | 610200 四川省成都市双流县西南航空港经济技术开发区天威路1号 | ||