| 发明名称 | 一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，包括集气盒、RPS及出气管路，其中集气盒上连接有与进气管路连通的进气口，所述集气盒通过分气管路与RPS连通，RPS通过出气管路与各腔室连通。本实用新型能实现各工艺气体充分混合，各腔室之间气体均匀分配，使各腔室之间保持相同的工艺状态，而且结构简单，成本低廉，体积小，方便安装维护。 | ||
| 申请公布号 | CN202323021U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120460139.6 | 申请日期 | 2011.11.18 |
| 申请人 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 发明人 | 梁学敏;凌复华 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 白振宇 |
| 主权项 | 一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于：包括集气盒(2)、RPS(4)及出气管路(5)，其中集气盒(2)上连接有与进气管路连通的进气口(1)，所述集气盒(2)通过分气管路(3)与RPS(4)连通，RPS(4)通过出气管路(5)与各腔室连通。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号 | ||