| 发明名称 | 存储器器件中隧穿氧化层形成的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器器件中隧穿氧化层形成的方法，包括以下步骤：生长第一层氧化层；使用氟化氪或氟化氩对应波长光刻胶和抗反射层，进行隧穿氧化层光刻；利用干法刻蚀对氧化层进行刻蚀，隧穿氧化层区域的抗反射层被去除；紫外线照射，分解氟化氪或氟化氩对应波长光刻胶；利用湿法刻蚀对氧化层进行刻蚀，隧穿氧化层区域的氧化层被去除；进行第二次氧化，在隧穿氧化层区域生成隧穿氧化层。本发明通过使用本发明的方法，可以得到更小尺寸，更好关键尺寸控制的隧穿氧化层；对于硅或锗器件，可以得到更小尺寸，更好关键尺寸控制的发射极窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101877313B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200910057151.X | 申请日期 | 2009.04.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种存储器器件中隧穿氧化层形成的方法，其特征在于，包括以下步骤：生长第一层氧化层；使用氟化氪或氟化氩对应波长光刻胶和抗反射层，进行隧穿氧化层光刻；利用干法刻蚀去除隧穿氧化层区域的抗反射层；紫外光照射，分解氟化氪或氟化氩对应波长光刻胶；利用湿法刻蚀对氧化层进行刻蚀，隧穿氧化层区域的氧化层被去除；进行第二次氧化，在隧穿氧化层区域生成隧穿氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||