| 发明名称 | 一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法，以解决现有技术中，在晶片减薄过程中，撕掉保护膜时容易将晶片的金属层一起撕掉的问题。该方法包括：在晶片的金属层表面涂光刻胶层，对所述金属层进行去边胶处理，去边胶宽度大于压边宽度；对去边胶处理后的所述金属层进行曝光处理和显影处理后，将去边胶区域的金属层中的部分金属层刻蚀掉，形成保护槽，刻蚀掉的部分金属层为去边胶区域与压边区域不重叠的部分金属层。采用本发明技术方案，可在很大程度上降低金属层在晶片减薄过程中被撕掉的几率。 | ||
| 申请公布号 | CN102082070B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200910241296.5 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法，在所述晶片的金属层表面涂光刻胶层，其特征在于，包括步骤：对所述涂有光刻胶层的金属层进行去边胶处理，去边胶宽度大于压边宽度；对去边胶处理后的所述金属层进行曝光处理和显影处理后，将去边胶区域的金属层中的部分金属层刻蚀掉，形成保护槽，刻蚀掉的部分金属层为去边胶区域与压边区域不重叠的部分金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||