| 发明名称 | 中性静电聚碳酸酯、制备方法和由它形成的制品 | ||
| 摘要 | 本申请披露一种制备聚碳酸酯组合物的方法，包括：熔融共混界面聚合制备的第一聚碳酸酯和熔体聚合制备的第二聚碳酸酯，其中所述第一聚碳酸酯具有被封端基团封端的羟基端基，所述第二聚碳酸酯具有被封端基团封端的羟基端基，其中第二聚碳酸酯的封端基团的摩尔百分数小于第一聚碳酸酯的封端基团的摩尔百分数；其中厚度为3.2mm且由所述聚碳酸酯组合物模塑的制品具有小于3的雾度，根据ASTM D 1003-00，以及其中由所述聚碳酸酯组合物模塑的平面制品的表面电荷为-2至+2kV。本申请还披露了根据该方法制备的聚碳酸酯组合物以及复杂制品。 | ||
| 申请公布号 | CN101802093B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200780053688.8 | 申请日期 | 2007.07.11 |
| 申请人 | 沙伯基础创新塑料知识产权有限公司 | 发明人 | 约翰尼斯·M·D·古森斯;道格拉斯·G·汉密尔顿;西奥多勒斯·L·霍克斯 |
| 分类号 | C08L69/00(2006.01)I | 主分类号 | C08L69/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 吴培善;封新琴 |
| 主权项 | 一种制备聚碳酸酯组合物的方法，包括：熔融共混界面聚合制备的第一聚碳酸酯和熔体聚合制备的第二聚碳酸酯，其中所述第一聚碳酸酯具有被封端基团封端的羟基端基，所述第二聚碳酸酯具有被封端基团封端的羟基端基，其中所述第二聚碳酸酯的封端基团的摩尔百分数小于第一聚碳酸酯的封端基团的摩尔百分数；其中厚度为3.2mm且由所述聚碳酸酯组合物模塑的制品具有小于3的雾度，根据ASTM D 1003‑00，以及其中由所述聚碳酸酯组合物模塑的平面制品的表面电荷为‑2至+2kV。 | ||
| 地址 | 荷兰贝亨奥普佐姆 | ||