半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。

主权项

一种二极管，包括：在衬底之上含有沟道形成区的半导体膜，该半导体膜包含氧化锌；与所述半导体膜相邻的栅电极，在这两者之间插有栅绝缘膜；和源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极中的每一个均包括第一导电层和第二导电层，其中，所述第二导电层位于所述半导体膜与所述第一导电层之间且包含掺杂有n型或p型杂质的ZnO，其中，所述栅电极电连接于所述源电极和所述漏电极之一，并且其中，所述源电极和所述漏电极中的每一个位于所述半导体膜下方。